IRF7313TRPBF vs IRF7342PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7313TRPBF بواسطة Infineon و IRF7342PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7313TRPBF | IRF7342PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | IRF7313TRPBF | IRF7342PBF |
| Technology | IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array |
| Transistor Configuration | Dual N-Channel (Independent) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 6.5 A per channel | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 29 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) max | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±V rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (typical range) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 8-pin SOIC (SO-8) surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / Pbf | Yes (lead-free plating) | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Qualification Standard | Consumer market (per IR datasheet) | — |
| Shipping Media | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Original Mfr | — | International Rectifier (now Infineon) |
| Configuration | — | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 3.4 A |
| On-Resistance R(DS(on)) | — | 0.105 ohm |
| Power Dissipation P(D) | — | 2 W |
| العلبة / الحالة | — | 8-SOIC (SO-8) |
| Gate Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Switching Frequency Optimization | — | < 100 kHz |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Halogen Status | — | Halogen-Free |
| Qualification | — | JEDEC standard |