IRF7313TRPBF vs IRF7342PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7313TRPBF द्वारा Infineon और IRF7342PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF - Dual N-Channel 30V 6.5A MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7313TRPBF - Dual N-Channel 30V 6.5A MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7313TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7313TRPBF IRF7342PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7313TRPBF IRF7342PBF
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
पैकेज 8-pin SOIC (SO-8) surface mount —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
MSL स्तर 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
पैकेज / केस — 8-SOIC (SO-8)
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
RoHS स्थिति — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध