IRF7313TRPBF vs IRF7342TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7313TRPBF بواسطة Infineon و IRF7342TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7313TRPBF IRF7342TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7313TRPBF IRF7342TRPBF
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (Tj)
العلبة 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SOIC (SO-8), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
مستوى MSL 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Configuration — Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package)
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) — -3.4 A at 25 C
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.105 ohm max at VGS = -10 V
Maximum Power Dissumption (Pd) — 2 W
Packaging — Tape and Reel (TR)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Channel Type — P-Channel (enhancement mode)
Number of Channels — 2 (dual array)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر