IRF7351TRPBF vs IRF7306TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7351TRPBF بواسطة Infineon و IRF7306TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7351TRPBF IRF7306TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm 100 mOhm at VGS = -10 V
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
العلبة 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C (junction)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر