IRF7351TRPBF vs IRF7306TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7306TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7351TRPBF IRF7306TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm 100 mOhm at VGS = -10 V
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
پیکیج 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C (junction)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں