IRF7351TRPBF vs IRF7306TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7351TRPBF מאת Infineon ו IRF7306TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7351TRPBF IRF7306TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A -3.6 A at 25°C
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm 100 mOhm at VGS = -10 V
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET Power MOSFET (Generation V)
מארז 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SOIC (SO-8, 0.154 inch / 3.90 mm body width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
סטטוס RoHS Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Polarity — P-Channel (dual)
Number of Channels — 2 (independent, in single package)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total]
Maximum Power Dissipation — 2 W at TA = 25°C
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C (junction)
Packaging — Tape & Reel (TR)
RoHS Compliance — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — Consumer market qualification standards (per IR/Infineon datasheet)
Avalanche Rated — Yes (ruggedized device per datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר