IRF7769L1TRPBF vs IRFP2907PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7769L1TRPBF بواسطة Infineon و IRFP2907PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF7769L1TRPBF IRFP2907PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
تيار التصريف النبضي 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
العلبة DirectFET Isometric L8 —
Package Profile 0.7 mm —
نوع التركيب Surface Mount —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (TJ) —
مستوى MSL 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
خالٍ من الهالوجين Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (Pb-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر