IRF7769L1TRPBF vs IRFP2907PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF7769L1TRPBF توسط Infineon و IRFP2907PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF7769L1TRPBF IRFP2907PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
جریان درین پالسی 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
بسته‌بندی DirectFET Isometric L8 —
Package Profile 0.7 mm —
نوع نصب Surface Mount —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (TJ) —
سطح MSL 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
بدون هالوژن Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (Pb-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت