IRF7769L1TRPBF vs IRFP2907PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7769L1TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFP2907PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7769L1TRPBF IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF - 100V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7769L1TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7769L1TRPBF IRFP2907PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) 100 V —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
Continuous Drain Current (TA=25C) 20 A —
Continuous Drain Current (TC=25C) 124 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ 142 A —
Power Dissipation (TA=25C) 3.3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 125 W —
RDS(on) max at VGS=10V 3.5 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg 200 nC —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
پیکیج DirectFET Isometric L8 —
Package Profile 0.7 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
MSL لیول 1 —
Lead-Free Reflow 260C qualified —
ہیلوجن فری Yes —
RoHS Compliance Compliant Yes (Pb-free)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں