IRF7854TRPBF vs IRF7389PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7854TRPBF بواسطة Infineon و IRF7389PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7854TRPBF | IRF7389PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $0.48 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| العلبة | SO-8 | SO-8 (SOIC-8) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | Generation V HEXFET |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C (TJ) | [DATA_NEEDED: full operating temperature range] |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | — |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Configuration | — | N and P-Channel (complementary half-bridge) |
| Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) | — | 30 V |
| Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current N-Ch (I_D) | — | 7.3 A |
| Continuous Drain Current P-Ch (I_D) | — | -5.3 A |
| On-Resistance N-Ch R_DS(on) max | — | 0.029 ohm at V_GS=10V |
| On-Resistance P-Ch R_DS(on) max | — | 0.058 ohm at V_GS=10V |
| Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical | — | 22 nC |
| Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical | — | 23 nC |
| Power Dissipation (P_D) | — | 2.5 W |
| Pinout | — | Industry-standard complementary SO-8 |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |