IRF8714TRPBF vs IRLL2705TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF8714TRPBF بواسطة Infineon و IRLL2705TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF8714TRPBF | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 14 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 8.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 8.1 nC | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 2.5 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55 deg C to +175 deg C |
| العلبة | SO-8 (8-SOIC) | SOT-223 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per Infineon package qualification) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| حالة RoHS | — | Compliant |