IRF8714TRPBF vs IRLL2705TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF8714TRPBF tarafından Infineon ve IRLL2705TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF8714TRPBF IRLL2705TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET / StrongIRFET (planar MOSFET) HEXFET (IR MOSFET fifth generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 14 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 8.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical range] —
Gate Charge (Qg) typical 8.1 nC —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 deg C to +175 deg C
Paket SO-8 (8-SOIC) SOT-223
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Lead-Free / RoHS Compliant —
MSL Seviyesi 1 (per Infineon package qualification) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C — 3.8 A
Peak Drain Current (IDM, pulsed) — 5.2 A
RDS(on) max at VGS=10V — 40 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 32 nC
Gate Drive Level — Logic-Level
Power Dissipation at TA=25 deg C — 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing)
Dynamic dv/dt Rating — Yes
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin