IRF8736TRPBF vs IRF7309TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF8736TRPBF بواسطة Infineon و IRF7309TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF8736TRPBF | IRF7309TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET / HEXFET | IR HEXFET Generation V |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 4.8 mOhm at VGS = 10V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 17 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| العلبة | SO-8 (8-SO, MS-012AA) | 8-SO (SOIC-8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | Yes (fully characterized avalanche voltage) | — |
| Configuration | Single | Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF suffix) | Tape & Reel |
| Polarity | — | N+P |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) | — | 4 A |
| Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) | — | 3 A |
| On-Resistance (N-channel, max) | — | 50 mOhm |
| On-Resistance (P-channel, max) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 1.4 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Lead-Free Status | — | Yes (TRPBF suffix = Pb-free) |
| حالة RoHS | — | Compliant |