IRF8736TRPBF vs IRLML0040TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF8736TRPBF بواسطة Infineon و IRLML0040TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF8736TRPBF IRLML0040TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET IR MOSFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A 3.6 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
العلبة SO-8 (8-SO, MS-012AA) Micro3 (SOT-23)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 14 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 56 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Total Gate Charge (Qg) — 2.6 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +150C
Qualification Level — Consumer (per JEDEC JSD47F)
Moisture Sensitivity Level — MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D)
RoHS Compliance — Compliant (no lead, no bromide, no halogen)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر