IRF8736TRPBF vs IRLML0040TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF8736TRPBF द्वारा Infineon और IRLML0040TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF8736TRPBF IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF - 30V 18A N-Channel StrongIRFET MOSFET | Infineon

IRF8736TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF - 40V N-Ch MOSFET, 56mOhm, 3.6A | Infineon

IRLML0040TRPBF - 40V N-Ch MOSFET, 56mOhm, 3.6A | Infineon

IRLML0040TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF8736TRPBF IRLML0040TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET IR MOSFET / HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A 3.6 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
पैकेज SO-8 (8-SO, MS-012AA) Micro3 (SOT-23)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Pulsed Drain Current (IDM) — 14 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 56 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Total Gate Charge (Qg) — 2.6 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +150C
Qualification Level — Consumer (per JEDEC JSD47F)
Moisture Sensitivity Level — MSL1 (per IPC/JEDEC J-STD-020D)
RoHS Compliance — Compliant (no lead, no bromide, no halogen)

डेटाशीट और संसाधन

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