IRFH5020TRPBF vs IRFH7084TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH5020TRPBF بواسطة Infineon و IRFH7084TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFH5020TRPBF IRFH7084TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide N-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
تبديد القدرة (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C (TJ max) -55°C to +175°C (TJ)
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
مستوى MSL 1 (per industry standard for PQFN-8) 1
Technology — StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
العلبة — 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
حالة RoHS — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر