IRFH8201TRPBF vs BSC014N04LSATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFH8201TRPBF بواسطة Infineon و BSC014N04LSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFH8201TRPBF | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | -55C to +175C |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |