IRFH8201TRPBF vs BSC014N04LSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH8201TRPBF بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFH8201TRPBF | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | -55C to +175C |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |