IRFR5410TRPBF vs IRLR2905TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR5410TRPBF بواسطة Infineon و IRLR2905TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRFR5410TRPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C | -13 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V | 205 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 70 nC | — |
| العلبة | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Power Dissition (PD) at TC = 25 °C | 66 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (TJ) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (advanced process, Gen 5) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | Yes |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RDS(on) Test Conditions | VGS = -10 V, ID = -7.0 A | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |