IRFR5410TRPBF vs IRLR2905TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5410TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5410TRPBF IRLR2905TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں