IRFR9120NTRLPBF vs IRFR4620TRLPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRFR9120NTRLPBF بواسطة Infineon و IRFR4620TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRFR9120NTRLPBF IRFR4620TRLPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) -6.6 A (Tc) 24 A at Tc
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
On-Resistance (RDS(on)) 480 mOhm max @ VGS = -10 V 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) 25 nC typical
Power Dissipation (PD) 40 W (Tc) 144 W at Tc
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (Tj) —
العلبة TO-252AA (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
Technology IR MOSFET (planar) IR MOSFET
مستوى MSL 1 1 (Unlimited)
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
العلبة / الحالة — TO-252AA (DPAK)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C
Lead Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر