IRLML2030TRPBF vs IRLML0030TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML2030TRPBF بواسطة Infineon و IRLML0030TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML2030TRPBF | IRLML0030TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRLML2030TRPBF | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 2.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 1.3 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 100 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 154 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 1.0 nC | — |
| العلبة | Micro3 (SOT-23) | Micro3 / SOT-23 (3-pin) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (junction) | — |
| مستوى MSL | MSL 1 | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Compliance | Yes (lead-free, halogen-free) | — |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Soldering | Wave-solder compatible | Wave-solder capable |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 5.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 27 mOhm at VGS=4.5V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (5 V optimized) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 3.6 nC typical |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 1.3 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C |
| حالة RoHS | — | Compliant |