IRLML2030TRPBF vs IRLML0030TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2030TRPBF tarafından Infineon ve IRLML0030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2030TRPBF IRLML0030TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2030TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Paket Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55C to +150C (junction) —
MSL Seviyesi MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Soldering Wave-solder compatible Wave-solder capable
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 5.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V optimized)
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin