IRLML2030TRPBF vs IRLML0030TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLML2030TRPBF bằng Infineon và IRLML0030TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF - 30V N-Ch HEXFET MOSFET, 2.7A | Infineon

IRLML2030TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLML2030TRPBF IRLML0030TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2030TRPBF —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 1.3 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 100 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 154 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Charge (Qg) typ 1.0 nC —
Hộp Micro3 (SOT-23) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) —
Cấp MSL MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Yes (lead-free, halogen-free) —
Qualification JEDEC standard JEDEC standard
Soldering Wave-solder compatible Wave-solder capable
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 5.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-level (5 V optimized)
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.3 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá