IRLML5103TRPBF vs BSS84PH6327XTSA2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLML5103TRPBF بواسطة Infineon و BSS84PH6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRLML5103TRPBF | BSS84PH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | — |
| العلبة | Micro3/SOT-23 | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | P-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| درجة حرارة التشغيل | 175 C | -55C to +150C |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSS84PH6327XTSA2 |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -170 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 360 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 8 ohm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Technology Family | — | SIPMOS OptiMOS |
| Lead-Free | — | Yes |