IRLML5103TRPBF vs BSS84PH6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML5103TRPBF بذریعہ Infineon اور BSS84PH6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF - 30V 760mA P-Channel MOSFET | Infineon

IRLML5103TRPBF ✓ فعال
Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLML5103TRPBF BSS84PH6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET —
Maximum Drain-Source Voltage 30 V —
Continuous Drain Current 760 mA at Ta —
Power Dissipation 540 mW at Ta —
Maximum On-Resistance 600 mOhm —
Gate Charge 3.4 nC —
Technology IR MOSFET —
پیکیج Micro3/SOT-23 PG-SOT23 (SOT-23-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Polarity P-Channel P-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage Rating -30 V —
Channel Mode Enhancement —
آپریٹنگ درجہ حرارت 175 C -55C to +150C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Footprint SOT-23 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSS84PH6327XTSA2
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) — 360 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 8 ohm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Technology Family — SIPMOS OptiMOS
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں