IRLR3105TRPBF vs IRLR2705TRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLR3105TRPBF بواسطة Infineon و IRLR2705TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLR3105TRPBF IRLR2705TRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 16.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
العلبة TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
حالة RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر