IRLR3105TRPBF vs IRLR2705TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLR3105TRPBF tarafından Infineon ve IRLR2705TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLR3105TRPBF IRLR2705TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 16.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Paket TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
RoHS Durumu Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin