IRLR3105TRPBF vs IRLR2705TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3105TRPBF توسط Infineon و IRLR2705TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF - 55V N-Channel HEXFET MOSFET, 25A, TO-252

IRLR3105TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR3105TRPBF IRLR2705TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET generation 5)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 25 A —
Rds(on) max @ VGS=10V 37 mOhm —
Rds(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 13.3 nC 16.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max ±16 V —
Input Capacitance (Ciss) 710 pF @ 25 V —
Power Dissipation (Pd) at Tc 57 W —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK, 2 leads + tab) TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Type Logic-Level —
وضعیت RoHS Compliant —
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Supplier Device Package TO-252AA (DPAK) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C with 1in2 copper]
RDS(on) Max at VGS=10V — 40 mOhm
RDS(on) Max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max, +/-V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic-Level (compatible with 4V drive)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 68 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — [DATA_NEEDED: PD at TA=25C with 1in2 copper]
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Avalanche Rated — Yes
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, RoHS compliant)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت