IRLU024NPBF vs IRFR3710ZTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLU024NPBF بواسطة Infineon و IRFR3710ZTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLU024NPBF IRFR3710ZTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLU024NPBF —
FET Type N-Channel, Logic-Level N-Channel
Technology HEXFET Power MOSFET (5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 65 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Total Gate Charge (Qg) 10 nC (typical, per listing) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 45 W 140 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 3.3 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 110 C/W (50 C/W PCB-mounted) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C -55C to +175C
العلبة IPAK (TO-251AA), Through Hole TO-252AA (DPAK)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free plating) —
Qualification JEDEC standard —
Gate Drive Voltage (optimized) 10 V (capable of 4.5 V) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر