IRLZ34NPBF vs IRLZ44NPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRLZ34NPBF بواسطة Infineon و IRLZ44NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
نوع الترانزستور N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
العلبة TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
حالة RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
مستوى MSL Not applicable (through-hole) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Technology — HEXFET (advanced process)
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر