IRLZ34NPBF vs IRLZ44NPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLZ34NPBF द्वारा Infineon और IRLZ44NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF - 55V 30A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLZ34NPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF - 55V 47A N-Ch Logic-Level MOSFET | Infineon

IRLZ44NPBF - 55V 47A N-Ch Logic-Level MOSFET | Infineon

IRLZ44NPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLZ34NPBF IRLZ44NPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number Suffix PBF = Lead-free (Pb-free), Tube packaging —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 30 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100 C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100 C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10 V 35 mOhm —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=5 V [DATA_NEEDED: Rds(on) at VGS=5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC (typical) 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25 C 68 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
पैकेज TO-220AB (through-hole, 3 leads + tab) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
RoHS स्थिति Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
MSL स्तर Not applicable (through-hole) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V)
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 110 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.4 °C/W
Technology — HEXFET (advanced process)
Logic-Level Gate Drive — Yes (fully enhanced at VGS=5V)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध