IRS2011STRPBF vs IR25606STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IR25606STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2011STRPBF IR25606STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Non-Inverting, High-Side and Low-Side
عدد المخارج 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
العلبة 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Number of Drivers — 2
Driven Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage (Offset) — Up to 600 V
Logic Input Voltage — Compatible with 3.3 V and 5 V logic
Source Current (typ.) — 200 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
Input Type — Non-Inverting
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes, on VCC and VB
Shoot-Through Protection — Integrated
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر