IRS2011STRPBF vs IR25606STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2011STRPBF توسط Infineon و IR25606STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2011STRPBF IR25606STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels Non-Inverting, High-Side and Low-Side
تعداد خروجی‌ها 2 2 (High Side / Low Side)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
بسته‌بندی 8-SOIC (DSO-8) 8-SOIC (0.154", 3.90 mm width)
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix)
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Number of Drivers — 2
Driven Configuration — Half-Bridge
High-Side Voltage (Offset) — Up to 600 V
Logic Input Voltage — Compatible with 3.3 V and 5 V logic
Source Current (typ.) — 200 mA
Sink Current (typ.) — 350 mA
Input Type — Non-Inverting
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes, on VCC and VB
Shoot-Through Protection — Integrated
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت