IRS2104STRPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2104STRPBF بواسطة Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2104STRPBF 2ED2106S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
البنية الطوبولوجية Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.6 A 0.7 A
Propagation Delay (typ.) 150 ns 100 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +150C —
العلبة 8-Lead SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
عدد المخارج — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Number of Drivers — 2
عدد الدبابيس — 8
Bootstrap Diode — Integrated
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
نوع الخرج — Half-Bridge, Non-Inverting

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر