IRS2104STRPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRS2104STRPBF द्वारा Infineon और 2ED2106S06FXUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRS2104STRPBF IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS2104STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
2ED2106S06FXUMA1 2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2106S06FXUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRS2104STRPBF 2ED2106S06FXUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
टोपोलॉजी Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 0.6 A 0.7 A
Propagation Delay (typ.) 150 ns 100 ns
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -40C to +150C —
पैकेज 8-Lead SOIC (SOIC-8) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
RoHS स्थिति Compliant (PbF suffix) —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Configuration — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
आउटपुट की संख्या — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Number of Drivers — 2
पिन की संख्या — 8
Bootstrap Diode — Integrated
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel
आउटपुट प्रकार — Half-Bridge, Non-Inverting

डेटाशीट और संसाधन

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