IRS2153DPBF vs IR2153PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DPBF بواسطة Infineon و IR2153PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DPBF IR2153PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة NRND نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
البنية الطوبولوجية Self-Oscillating (RC-timed) Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
عدد المخارج 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +125C —
العلبة 8-Pin PDIP (through-hole) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
مستوى MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (Pb-free suffix) Pb-Free, RoHS compliant
Number of Drivers — 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Undervoltage Lockout — Increased threshold (per datasheet)
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
نوع التركيب — Through-Hole

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر