IRS2153DPBF vs IR2153PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DPBF מאת Infineon ו IR2153PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IR2153PBF IR2153PBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2153PBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IR2153PBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DPBF IR2153PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים NRND פעיל
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
טופולוגיה Self-Oscillating (RC-timed) Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator
מספר יציאות 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
טמפרטורת צומת פעולה -40C to +125C —
מארז 8-Pin PDIP (through-hole) 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm)
רמת MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free suffix) Pb-Free, RoHS compliant
Number of Drivers — 2 (high-side and low-side)
High-Side Voltage Rating — 600 V
VCC Zener Clamp — 15.6 V
Quiescent Current (Micropower Startup) — 500 uA
Rise Time (typ.) — 45 ns
Fall Time (typ.) — 80 ns
Undervoltage Lockout — Increased threshold (per datasheet)
Shutdown Feature — Yes (1/6 VCC on CT pin)
Deadtime Control — Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
סוג הרכבה — Through-Hole

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר