IRS2153DSPBF vs IRS2153DPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DSPBF بواسطة Infineon و IRS2153DPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DSPBF IRS2153DPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط NRND
الوظيفة Half-bridge gate driver with RC input oscillator —
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge —
عدد المخارج 2 (HO, LO) 2 (High-Side, Low-Side)
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range]
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) 8-Pin PDIP (through-hole)
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
نوع التركيب Surface Mount —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
البنية الطوبولوجية — Self-Oscillating (RC-timed)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +125C
مستوى MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial
حالة RoHS — Compliant (Pb-free suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر