IRS2153DSPBF vs IRS2153DPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2153DSPBF توسط Infineon و IRS2153DPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2153DSPBF IRS2153DPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال NRND
عملکرد Half-bridge gate driver with RC input oscillator —
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge —
تعداد خروجی‌ها 2 (HO, LO) 2 (High-Side, Low-Side)
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range]
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی 8-SOIC (SOIC-8) 8-Pin PDIP (through-hole)
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
نوع نصب Surface Mount —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
توپولوژی — Self-Oscillating (RC-timed)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
دمای اتصال کاری — -40C to +125C
سطح MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial
وضعیت RoHS — Compliant (Pb-free suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت