IRS2153DSPBF vs IRS2153DPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DSPBF מאת Infineon ו IRS2153DPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DSPBF IRS2153DPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל NRND
פונקציה Half-bridge gate driver with RC input oscillator —
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge —
מספר יציאות 2 (HO, LO) 2 (High-Side, Low-Side)
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: VCC range]
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 8-SOIC (SOIC-8) 8-Pin PDIP (through-hole)
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
סוג הרכבה Surface Mount —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
טופולוגיה — Self-Oscillating (RC-timed)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
טמפרטורת צומת פעולה — -40C to +125C
רמת MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial
סטטוס RoHS — Compliant (Pb-free suffix)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר