ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs IAUC120N04S6N009ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N04S6N009ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC015N06NM5LF2ATMA1 IAUC120N04S6N009ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V —
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 °C to +175 °C
العلبة PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 120 A
تيار التصريف النبضي — [DATA_NEEDED: pulsed I_D value]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 0.9 mΩ
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Total Gate Charge Q_g typ — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Thermal Resistance R_thJC max — 1.0 K/W
Automotive Qualification — AEC-Q101
مستوى MSL — 1
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر