ISC040N10NM7ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC040N10NM7ATMA1 بواسطة Infineon و ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC040N10NM7ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5 30V
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 150 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
RDS(on) @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
العلبة PG-TDSON-8-34 (SSO8) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ max) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر