ISC040N10NM7ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار ISC040N10NM7ATMA1 توسط Infineon و ISC028N03LF2SATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
ISC028N03LF2SATMA1 ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 - 30V 2.8mOhm N-Ch MOSFET | Infineon OptiMOS

ISC028N03LF2SATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر ISC040N10NM7ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 OptiMOS 5 30V
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 130 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 150 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
RDS(on) @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-34 (SSO8) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55°C to +175°C (TJ max) —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت