ISC045N03L5SATMA1 vs IQFH55N04NM6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC045N03L5SATMA1 بواسطة Infineon و IQFH55N04NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISC045N03L5SATMA1 | IQFH55N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | — | 53 A |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | — | 451 A |
| Static R_DS(on) (typ) | — | 0.55 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +175°C |
| AEC-Q100 | — | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] |