ISC045N03L5SATMA1 vs IQFH55N04NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC045N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon اور IQFH55N04NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC045N03L5SATMA1 | IQFH55N04NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| پیکیج | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | — | 53 A |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | — | 451 A |
| Static R_DS(on) (typ) | — | 0.55 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +175°C |
| AEC-Q100 | — | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] |