ISC045N03L5SATMA1 vs IQFH55N04NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC045N03L5SATMA1 von Infineon und IQFH55N04NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC045N03L5SATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,51 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 / Trench Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Gehäuse SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C —
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C — 53 A
Pulsed Drain Current @ TC=25°C — 451 A
Static R_DS(on) (typ) — 0.55 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 214 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55°C to +175°C
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: automotive qualification status]

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