ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC058N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon و BSC040N08NS5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC058N04NM5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C —
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Part Number — BSC040N08NS5ATMA1
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر