ISC058N04NM5ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC058N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon و ISC015N04NM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC058N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
العلبة PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (trench MOSFET)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
عدد الأطراف — 8
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر