ISC058N04NM5ATMA1 vs ISC015N04NM5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC058N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N04NM5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC058N04NM5ATMA1 ISC015N04NM5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A —
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 5 (trench MOSFET)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5)
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
Series — OptiMOS 5 40V Normal Level
FET Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.4 V (typ)
R_DS(on) max — 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 33 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 206 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 115 W
Paket / Kas — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Pin Sayısı — 8
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1 (per Infineon SuperSO8 family)
Drive Level — Normal Level (VGS(th) ~3.4 V)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin